Nnt.kh.ua
Компанія
анонсувала прототип пам’яті DDR5 RAM у вересні 2017 року, з доступністю не раніше 3 кварталу 2018 року. Micron виготовила перші прототипи пам’яті в 2017 році, вони були перевірені за допомогою контролера Cadence (TSMC, 7 нм).
23 квітня 2017 року компанія “SK Hynix” представила пам’ять GDDR6 для відеокарт з об’ємом модуля (чіпа) 1 ГБ з використанням 20-нм технологічного процесу.
У січні 2011 року компанія Samsung представила модуль DDR4. Техпроцес становив 30 нм, обсяг пам’яті – 2 ГБ, а напруга – 1,2 В. Пізніше Hynix представила свій перший модуль DDR4, який перевершив модуль Samsung за частотою (2400 МГц замість 2133).
Щільність одного чіпа пам’яті DDR5 збільшилася вчетверо, порівняно з DDR4: з 16 ГБіт до 64 Гбіт . Це дало змогу відповідно збільшити максимальний об’єм одного модуля до 128 ГБ, що також у чотири рази більше, ніж у DDR4 – 32 ГБ. На старті продажів обсяг пам’яті менший, але почне поступово збільшуватися.